光电工程学院青年学者学术论坛讲座预告-876cc棋牌

会议时间：2022年4月20日（周三）14:00—16:00

参会人员：光电工程学院科研团队全体教师，并欢迎广大师生参加。

会议形式：腾讯会议：128-314-813

会议简介：

报告1：脱合金化制备永磁纳米多孔材料及其性能研究

报告人：马殿国

报告时间：14:00-15:00

内容简介：纳米多孔金属（nanoporous metals, npms）是由三维双连续的纳米孔隙和金属韧带组成的新型功能材料。这类材料结合了高比表面积和纳米金属特有的物理和化学性质，显示出优异的催化、光学等功能特性。软磁性纳米多孔金属在磁分离、药物输运等生物技术领域具有潜在应用，而永磁性纳米多孔金属既可作为吸附、过滤材料用于流体环境中重金属磁性元素的分拣和过滤，也可用于制备磁性纳米复合材料。因此，制备永磁性纳米多孔合金并研究它们的结构与性能具有重要意义。

报告2：hf离子掺杂对zto tfts的缺陷态抑制及稳定性的提升研究

报告人：黄传鑫

报告时间：15:00-16:00

内容简介：氧化物半导体薄膜晶体管（tft）因具有较高的光透过率和场效应迁移率、较低的制备温度和大面积均匀等优点，在大尺寸高清平板显示及互补性金属氧化物半导体（cmos）电路方面具有广泛的应用前景。当前，稳定性问题已经成为制约氧化物tft商业化应用的瓶颈技术难题，而缺陷态问题是影响tft稳定性的主要因素。因此本研究采用双靶磁控共溅射系统制备了新材料hzto薄膜。研究了hf掺杂量对hzto薄膜结构，表面形貌，化学组成，光学和电学性能的影响。另外，我们制备了基于ald al2o3绝缘层的hzto-tft。随着hf掺杂量的增加，al2o3绝缘层和hzto薄膜之间的界面缺陷态密度变少。而且，hf掺杂量对tft的电学性质和偏压稳定性有重要影响。虽然迁移率随着hf掺杂量的增加而降低，但稳定性明显提高，本研究为氧化物tft稳定性的提升提供了新的方向。

光电工程学院

2022年4月20日